A trajetória dos transistores da Intel passa por várias inovações, e Tahir Ghani chama atenção para o impacto da introdução de componentes como o high-k/metal gate. Essa tecnologia foi implementada após alcançarem o limite físico do dielétrico de silício, o que tornou a miniaturização dos transistores um desafio imenso.

As alterações no design dos transistores, como a introdução do strained silicon, FinFET e high-k/metal gate marcam uma nova era de desenvolvimento. O high-k/metal gate foi especialmente arriscado, pois exigiu uma abordagem radicalmente diferente na construção dos dispositivos, especialmente devido à interação entre a pólvora de metal e o dielétrico.

Ghani e sua equipe enfrentaram a necessidade de alterar fundamentalmente o processo de construção dos transistores, mudando de um método de construção de gate first para gate last. Este novo processo envolveu uma série de inovações, incluindo o uso de deposição atômica, uma técnica que a Intel não havia aplicado em sua produção anterior.

1. Introdução da tecnologia high-k/metal gate.

2. Mudança no processo de fabricação para gate last.

3. Desafios enfrentados com a interação entre polímeros e metais.

4. Importância de manter a confiabilidade do novo processo.

5. Resultados positivos e compromisso da Intel com a nova tecnologia.

A introdução bem-sucedida do high-k/metal gate possibilitou que a Intel superasse desafios de produção e alavancasse sua posição no mercado de semicondutores. Ghani destaca que, apesar das dificuldades, a Intel continua a ser uma empresa inovadora, com novos projetos em desenvolvimento, como os contatos traseiros para entrega de energia.

O trabalho de Ghani e sua equipe na Intel exemplifica a constante evolução da indústria de semicondutores, destacando a importância de inovação e adaptação frente a desafios técnicos. Os leitores são encorajados a acompanhar a evolução dessa tecnologia e a se inscrever em nossa newsletter para mais conteúdos atualizados diariamente.

FONTES:

1. IEEE Spectrum

2. Intel Pressroom